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NE68518-T1-A中文资料

NE68518-T1-A图片

NE68518-T1-A外观图

  • 大小：354.68KB
  • 厂家：CEL [California Eastern Labs]
  • 描述：SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 晶体管 (BJT)
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6V
  • 频率 - 转换：12GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）：1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • 增益：8.5dB
  • 功率 - 最大：150mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：75 @ 10mA，3V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：30mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-82A，SOT-343
  • 供应商设备封装：SOT-343
  • 包装：带卷 (TR)

NE68518-T1-A供应商

更新时间:2023-01-02 06:03:31
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NTMS5P02R2GNTHS2101PT1GNJM78M06DL1ANL17SZ125DFT2GNHPXA270C5C520NLAST4599DFT2GNCP551SN15T1GNTR4503NT1GNJM2068MNCP1117ST18T3G

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